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                          应用讯息

                          上海伯东美国 KRI 离子源又获半导体离子蚀刻 IBE 订单!
                          上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 220 安装于离子蚀刻机 IBE 中, 实现半导体 8寸晶圆 wafer 的线路刻蚀.
                          KRI 离子源又获半导体离子蚀刻 IBE
                          ------------------------------- 上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 ------------------------------

                          KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA. 适用于预清洗,
                          辅助镀膜, 溅镀和蒸发镀膜, 离子蚀刻.

                          KRI 离子源

                          型号

                          RFICP 220

                          Discharge 阳极

                          RF 射频

                          离子束流

                          >800 mA

                          离子动能

                          100-1200 V

                          栅极直径

                          20 cm Φ

                          离子束

                          聚焦, 平行, 散射

                          流量

                          10-40 sccm

                          通气

                          Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

                          典型压力

                          < 0.5m Torr

                          长度

                          30 cm

                          直径

                          41 cm

                          中和器

                          LFN 2000


                          若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
                          上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
                          T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
                          F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
                          M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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