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                          KRI 霍尔离子源 eH 2000
                          阅读数: 9295

                          KRI 霍尔离子源 eH 2000

                          KRI 霍尔离子源 eH 2000
                          上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
                          尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
                          放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
                          操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

                          KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
                          水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
                          可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少?;奔? 即插即用备用阳极
                          宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
                          多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
                          高效的等离子转换和稳定的功率控制

                          KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数

                          型号

                          eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

                          供电

                          DC magnetic confinement

                            - 电压

                          40-300V VDC

                            - 离子源直径

                          ~ 5 cm

                            - 阳极结构

                          ??榛?/p>

                          电源控制

                          eHx-30010A

                          配置

                          -

                            - 阴极中和器

                          Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

                            - 离子束发散角度

                          > 45° (hwhm)

                            - 阳极

                          标准或 Grooved

                            - 水冷

                          前板水冷

                            - 底座

                          移动或快接法兰

                            - 高度

                          4.0'

                            - 直径

                          5.7'

                            - 加工材料

                          金属
                          电介质
                          半导体

                            - 工艺气体

                          Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

                            - 安装距离

                          16-45”

                            - 自动控制

                          控制4种气体

                          * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

                          KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
                          •  离子辅助镀膜 IAD
                          •  预清洗 Load lock preclean
                          •  预清洗 In-situ preclean
                          •  Direct Deposition
                          •  Surface Modification
                          •  Low-energy etching
                          •  III-V Semiconductors
                          •  Polymer Substrates

                          1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

                           

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