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                          KRI 霍尔离子源典型应用 IBE 离子刻蚀
                          阅读数: 7640

                          KRI 霍尔离子源典型应用 IBE 离子刻蚀

                          离子源应用于离子刻蚀 IBE
                          上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔离子源 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE.
                          霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.

                          霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备
                          系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.
                          样品尺寸: 2英寸硅芯片.
                          刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源 EH400 HC
                          上海伯东离子源 EH400HC
                          霍尔离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内
                          上海伯东美国考夫曼离子源
                          离子源 EH400HC 自动控制单元
                          上海伯东美国考夫曼离子源控制器
                          霍尔离子源 EH400HC 通氩气
                          离子源通氩气
                          对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec
                          上海伯东考夫曼离子源蚀刻速率
                          对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 Å/Sec
                          上海伯东美国离子源蚀刻速率

                          鉴于信息保密. 更详细的离子源应用欢迎拨打客服热线:021-5046-3511

                          霍尔离子源 EH400HC 特性:
                          高离子浓度, 低离子能量
                          离子束涵盖面积广
                          镀膜均匀性佳
                          提高镀膜品质
                          模块化设计, 保养快速方便
                          增加光学膜后折射率 (Optical index)      
                          全自动控制设计, 操作简易
                          低耗材成本, 安装简易

                           

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