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                          KRI 考夫曼离子源 KDC 100
                          阅读数: 3955

                          KRI 考夫曼离子源 KDC 100

                          KRI 考夫曼离子源 KDC 100
                          上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

                          KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数:

                          型号

                          KDC 100

                          供电

                          DC magnetic confinement

                           - 阴极灯丝

                          2

                           - 阳极电压

                          0-100V DC

                          电子束

                          OptiBeam™

                           - 栅极

                          专用, 自对准

                           -栅极直径

                          12 cm

                          中和器

                          灯丝

                          电源控制

                          KSC 1212

                          配置

                          -

                           - 阴极中和器

                          Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

                           - 安装

                          移动或快速法兰

                           - 高度

                          9.25'

                           - 直径

                          7.6'

                           - 离子束

                          聚焦
                          平行
                          散设

                           -加工材料

                          金属
                          电介质
                          半导体

                           -工艺气体

                          惰性
                          活性
                          混合

                           -安装距离

                          8-36”

                           - 自动控制

                          控制4种气体

                          * 可选: 可调角度的支架

                          KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域:
                          溅镀和蒸发镀膜 PC
                          辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
                          表面改性, 激活 SM
                          离子溅射沉积和多层结构 IBSD
                          离子蚀刻 IBE

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