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                          KRi 射频离子源 RFICP 40
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                          KRi 射频离子源 RFICP 40

                          KRI 射频离子源 RFICP 40
                          上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

                          射频离子源 RFICP 40 特性:
                          1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
                          2. 离子源结构??榛杓? 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
                          3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
                          4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
                          5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
                          6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

                          KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

                          型号

                          RFICP 40

                          Discharge 阳极

                          RF 射频

                          离子束流

                          >100 mA

                          离子动能

                          100-1200 V

                          栅极直径

                          4 cm Φ

                          离子束

                          聚焦, 平行, 散射

                          流量

                          3-10 sccm

                          通气

                          Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

                          典型压力

                          < 0.5m Torr

                          长度

                          12.7 cm

                          直径

                          13.5 cm

                          中和器

                          LFN 2000

                          KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域:
                          预清洗
                          表面改性
                          辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,
                          溅镀和蒸发镀膜 PC
                          离子溅射沉积和多层结构 IBSD
                          离子蚀刻 IBE

                          1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

                          若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
                          上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
                          T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
                          F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
                          M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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