"

              ✅彩票全天计划网站✅品牌实力,资金雄厚,彩票全天计划网站,诚信为本,原生态App体验千百款游戏,彩票全天计划网站,7x24服务,欢迎您来体验!

                          "

                          KRI 霍尔离子源 eH 400
                          阅读数: 8354

                          KRI 霍尔离子源 eH 400

                          美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
                          上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
                          尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”
                          放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
                          操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

                          KRI 霍尔离子源 eH 400 特性
                          可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少?;奔? 即插即用备用阳极
                          宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
                          多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
                          高效的等离子转换和稳定的功率控制

                          KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

                          型号

                          eH 400 / eH 400 LEHO

                          供电

                          DC magnetic confinement

                            - 电压

                          40-300 V VDC

                           - 离子源直径

                          ~ 4 cm

                           - 阳极结构

                          ??榛?/p>

                          电源控制

                          eHx-3005A

                          配置

                          -

                            - 阴极中和器

                          Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

                            - 离子束发散角度

                          > 45° (hwhm)

                            - 阳极

                          标准或 Grooved

                            - 水冷

                          前板水冷

                            - 底座

                          移动或快接法兰

                            - 高度

                          3.0'

                            - 直径

                          3.7'

                            - 加工材料

                          金属
                          电介质
                          半导体

                            - 工艺气体

                          Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

                            - 安装距离

                          6-30”

                            - 自动控制

                          控制4种气体

                          * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

                          KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
                          离子辅助镀膜 IAD
                          预清洁 Load lock preclean
                          In-situ preclean
                          Low-energy etching
                          III-V Semiconductors
                          • Polymer Substrates

                          1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

                          其他产品
                          彩票全天计划网站